【光源科普】光刻膠與紫外線的關(guān)系
?【光源科普】光刻膠與紫外線的關(guān)系
紫外光深入?yún)⑴c了半導(dǎo)體制造過(guò)程中光刻膠的曝光步驟。
曝光工藝是將光刻膠曝光并將設(shè)計(jì)的圖案轉(zhuǎn)移到基板上的重要步驟。
紫外線改變光刻膠的分子結(jié)構(gòu)并改變曝光區(qū)域的溶解度，
形成電路圖案。
用于曝光的紫外線有多種波長(zhǎng)，但常用的是以下類(lèi)型：
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i 線 (365 nm)
：當(dāng)不需要非常精細(xì)的圖案時(shí)使用。
KrF 線 (248 nm)
：適合需要高分辨率的情況。
ArF 線 (193 nm)
：需要更高分辨率時(shí)使用。
極紫外光（13.5 納米）
：采用尖端微加工技術(shù)，實(shí)現(xiàn)極高的分辨率
紫外線的波長(zhǎng)越短，可以形成的圖案分辨率越高。